IBN
Закрыть
ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXZ
ЗСЭ

Despre revistă
Cautare
Domenii de acreditare
Domenii ştiinţifice
Acces la textul integral
Anul fondării  2002
Fondatori
Institutul de Inginerie Electronică şi Nanotehnologii "D. Ghiţu"
Academia de Ştiinţe a Moldovei
Societatea Fizicienilor din Moldova
Tirajul revistei   100
Vizibilitate internațională
Caracteristica articolelor
Limba de publicare
Ultima descărcare din IBN:
2023-04-12 12:00
Colegiul de redacţie
Vizibilitatea autorilor

Numărul curent

  Nr. 1 / 2023  (1 din 2)9    CZU
 2023  (1 din 2)9    
Nr. 1 9CZU
 2022  (1 din 2)11    
Nr. 1(21) 11
 2021  (2 din 2)17    
Nr. 2(20) 9CZU
Nr. 1(20) 8CZU
 2020  (1 din 2)8    
Nr. 1-2(19) 8CZU
 2019  (1 din 4)15    
Nr. 1-4(18) 15CZU
 2018  (2 din 4)27    
Nr. 3-4(17) 13CZU
Nr. 1-2(17) 14CZU
 2017  (2 din 4)19    
Nr. 3-4(16) 10CZU
Nr. 1-2(16) 9CZU
 2016  (2 din 4)31    
Nr. 3-4(15) 16CZU
Nr. 1-2(15) 15CZU
 2015  (2 din 4)27    
Nr. 3-4(14) 13CZU
Nr. 1-2(14) 14CZU
 2014  (2 din 4)27    
Nr. 3-4(13) 15CZU
Nr. 1-2(13) 12CZU
 2013  (2 din 4)41    
Nr. 3-4(12) 21
Nr. 1-2(12) 20
 2012  (3 din 4)43    
Nr. 4(11) 14
Nr. 3(11) 14
Nr. 1-2(11) 15
 2011  (3 din 4)50    
Nr. 3-4(10) 15
Nr. 2(10) 15
Nr. 1(10) 20
 2010  (3 din 4)49    
Nr. 3-4(9) 21
Nr. 2(9) 16
Nr. 1(9) 12
 2009  (3 din 4)61    
Nr. 3-4(8) 23
Nr. 2(8) 18
Nr. 1(8) 20
 2008  (4 din 4)67    
Nr. 4(7) 16
Nr. 3(7) 15
Nr. 2(7) 18
Nr. 1(7) 18
 2007  (2 din 4)38    
Nr. 2(6) 21
Nr. 1(6) 17
 2006  (3 din 4)72    
Nr. 3-4(5) 19
Nr. 2(5) 15
Nr. 1(5) 38
 2005  (4 din 4)96    
Nr. 4(4) 22
Nr. 3(4) 43
Nr. 2(4) 10
Nr. 1(4) 21
imagine

pISSN: 1810-648X
eISSN: 2537-6365
Moldavian Journal of the Physical Sciences
Categoria:
  • C (30.09.2022-30.09.2024)
  • Exclusă (30.10.2020)
  • C (18.07.2017-31.12.2019)
  • B (27.06.2013-27.06.2017)
  • A (30.04.2009-26.06.2013)

Fizica şi electronica solidului, inclusiv a structurilor nanometrice, tehnologia şi ingineria materialelor şi dispozitivelor electronice. Fizica şi tehnologia materialelor, structurilor şi dispozitivelor optoelectronice semiconductoare


În ajutorul Colegiului de redacție în procedura de evaluare a revistei.
Notă: Descărcați formularele și completați cu datele lipsă.
Disponibil în IBN pentru perioada:
2005 - 2023
Clasificate
ÎnregistrateAccesateDescărcateCZUDOI
Articole70816195451945617379
Volume43562522625
Total751167579722081

Vizualizări   1355Descărcări   57

Conţinutul numărului de revistă

Evolution and achievements of the Institute of Applied Physics of the Academy of Sciences of Moldova 263-282
Bologa M.
Academician Tadeusz Malinowski (on the occasion of the 85-th anniversary) 283-286
Simonov Yurii A.
Crystal structure of mixed compound Cu2(D-Ala) (D-Ser)(L-Ser)2 287-291
Diakon I. , Donu Sofia , Chapuruna L.
The crystal and molecular structure of thiosemicarbazone α - aminoacetophenone hydrochloride 292-297
Antosyak Boris , Chapuruna L. , Turta Constantin
Relaxation processes under microindentation of InP crystals subjected to scratching deformation 298-303
Zhitaru Raisa , Rahvalov Veaceslav
Light induced phenomena in new polymeric thin films based on aminostyrene 304-311
Palistrant Natalia
Electron-phonon interactions in multi-component hole gas plasma in polar semiconductors: from bulk to quantum dot structures 312-319
Bairamov B. , Toporov V. , Voitenco V. , Irmer Gert , Monecke Jochen
Functionalization of II-VI semiconductor quantum Dots with peptides and integrins of cancer cells for biophotonic applications 320-326
Bairamov B. , Toporov V. , Bayramo F. , Lanzov V. , Petuhov M. , Glazunov E. , Li Yang , Ramadurai Dinakar , Peng Sh. , Dutta Mitra , Stroscio M. , Irmer Gert
Photoluminescence of ZnSe nanocrystals obtained by spin-coating method 327-331
Aksas A. , Chelouche Azeddine , Boudine B. , Halimi O. , Djouadi Djamel
Growth and properties of CuGa3Se5 single crystals 332-337
Bodnar Ivan V. , Bodnar I. , Victorov Ivan
Growth and properties of CuIn5Se8 ternary compound thin films 338-341
Bodnar Ivan V. , Bodnar I. , Victorov Ivan , Gremenok V. , Leon Maximo
Nano-granular indium sulfide layers for thin film solar cells 342-348
Goncearova O. , Gremenok V.
GaN/Aln quantum dot intraband photodetectors at 1.3-1.5 microns 349-354
Doyennette L. , Lupu Anatol , Nevou L. , Tchernycheva Maria , Colombelli R. , Julien F. , Vardi A. , Bahir G. , Guillot F. , Monroy E.
Optical properties of Cu(In, Zn)Se2 thin films for solar cells 355-359
Ivanov V. , Gremenok V. , Siarheyeva V. , Zaretskaya E. , Zalesski V. , Kovalevski V. , Bente K.
HTSC – Si and HTSC – InSb contacts for diode detectors: comparison of characteristics 360-365
Kerner Iacov
Cerium-europium double activated terbium aluminum garnet phosphor for led application 366-372
Nazarov Michael V. , Sohn Jongrak , Yoon Chulsoo
Comparative study of structural and optical parameters of CuInSe2 and various CuInxSey compounds 373-381
Leon Maximo , Merino Jose Manuel , Arushanov Ernest
Oscillation parameters of PbSe 382-386
Netesova Nadejda
Total column ozone content and aerosol optical thickness measurements: instrument performance analysis 387-395
Aculinin Alexandr , Smîcov Vladimir